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芯片散热有了新思路 我国科学家开拓出介电基底修饰新技能

2019-03-17 12:17  江苏省旅游学会

新华社上海3月16日电(记者吴振东)半导体芯片运算速度越来越快,但随之而来的芯片发烧问题困扰着业界和学界。复旦大学科研团队新近开拓出一种介电基底修饰新技能,有望办理芯片散热问题。相关研究成就在线颁发于权威科学期刊《自然·通讯》。

研究表白,在一个芯片中,半导体质料和绝缘体质料之间,以六方氮化硼为材质的界面质料,将对其电子迁移率和散热发生至关重要的影响。传统方法是,研究人员先将其在此外“盆”里种出来,然后移栽到芯片质料上。

复旦大学聚合物分子工程国度重点尝试室研究员魏大程教育团队,开拓了一种共形六方氮化硼修饰技能,在最低温度300摄氏度的条件下,无需催化剂直接在二氧化硅/硅片(SiO2/Si)、石英、蓝宝石、单晶硅基底外貌“发展”高质量六方氮化硼薄膜。这一带来“无缝”结果的共形修饰技能,能让芯片质料机能显著晋升。

专家暗示,这一技能具有高普适性,不只可以应用于基于二硒化钨质料的晶体管器件,还可以推广到其他质料和更多器件应用中,骗局揭秘,共形六方氮化硼也具有局限化出产和应用的庞大潜力。